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10月20日,SK海力士宣布,成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起,采用多层堆叠工艺,实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

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目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代,HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。SK海力士表示,2020 年 7 月便开始量产 HBM2E 内存,为全球首批量产这种芯片的企业。

SK海力士最新的 HBM3 芯片,单片最大容量可达 24GB,最高带宽达到了 819 GB/s,相比 HBM2E 提升了 78%。不仅如此,产品还支持片上 ECC 纠错,显著高了可靠性。

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此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB,SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m),相当于A4纸厚度的1/3,然后使用TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)技术垂直连接12个芯片。

HBM3将搭载高性能数据中心,有望适用于提高人工智能完成度的机器学习和分析气候变化,新药开发等的超级计算机。

负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示,“该公司推出的全球首款HBM DRAM,引领了HBM2E市场,并在业界内首次成功开发了HBM3。公司将巩固在高端存储器市场的领导力,同时提供符合ESG经营的产品,尽最大努力提高客户价值。

作者 scforum

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