据日刊工业新闻20日报导,美光于2013年收购尔必达、取得现有的广岛工厂,之后就积极进行投资,目前广岛工厂厂区内已无增设厂房的空间。
报导进一步指出,美光上述DRAM新工厂的设厂地点考量对象原先也包含台湾(美光在此拥有DRAM工厂)以及新加坡(美光拥有NAND Flash工厂),不过在基于台湾海峡风险以及和供应商之间的合作等观点进行评估后,美光最终决定落脚日本。
美光在2019-2021年度的3年期间合计在日本投资70亿美元,投资规模居外资企业之冠。美光在和三星电子、SK Hynix之间的市场竞争上趋于劣势,今后DRAM和逻辑芯片一样、进一步进行微缩是不可或缺的,因此对美光来说、日本在技术研发上的重要性将增加。
今年六月,美光首席执行官Sanjay Mehrotra在接受日经新闻采访时透露,将与日本政府合作,扩大在当地的投资,同时也将与当地设备和材料业者合作,以强化日本半导体供应链。对此,南韩媒体报导指出,美光此举可能威胁到南韩记忆体厂的发展空间。
Sanjay Mehrotra特别提到,美光有意与日本业者合作开发第五代10纳米级DRAM技术。值得注意的是,相较全球前两大DRAM制造商三星和SK海力士现在仍主要聚焦于第三代DRAM生产,美光率先在6月初的Computex展中即宣布,已开始量产全球首款第四代10奈米级制程DRAM,在技术领先的优势下,美光可能威胁到三星及SK海力士的市占率。

三星2022 年准备扩大投资南韩平泽P3 工厂

南韩媒体《BusinessKorea》报导,半导体大厂三星正加紧准备2022 年开始的平泽新半导体工厂大规模投资。三星大规模投资的目的,除了在记忆体逢大周期时扩大与竞争对手的差距,晶圆代工也要追上台积电。
三星计划先在建设中平泽3 号工厂(P3) 建立NAND Flash 快闪记忆体生产线,然后再建立DRAM 生产线和3 纳米制程代工产线。三星正与国内外材料、零组件、设备合作伙伴洽谈,P3 工厂扩建后,三星将增设一条第七代176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体生产线,每月生产40K~50K 的12 吋晶圆,并2022 年4 月左右开始引进设备。
市场分析师表示,先安装NAND Flash 快闪记忆体生产线的原因,是为了扩大与追随者的技术差距,因为NAND Flash 快闪记忆体市场竞争加剧,据市场人士说法,中国努力发展半导体产业,西部数据可能收购日本记忆体大厂铠侠,美光科技也量产176 层堆叠NAND Flash,市场竞争逐渐升温。
关于P3 工厂加码投资,三星还订定2022 下半年建设DRAM 和3 纳米代工产线计划。市场人士预计,因应DDR5 规格的DRAM 时代到来,三星将打造14 奈米制程EUV DRAM 生产线。三星建立3 纳米制程代工产线方面,未来每月可量产10K~20K 的12 吋晶圆。
三星电子预计2022 年将在华城和P3 工厂所在的平泽工厂导入先进生产技术。据三星计划,投资DRAM 和晶圆代工产线后,南韩半导体产能将增加至每月150K 晶圆,相当于三星DRAM 厂华城17 工厂产能。

DRAM市场供不应求,SK海力士加大投资力度

据韩媒报道,SK海力士正在扩大其在DRAM领域的投资,除了在建的M16厂区之外,其他已建成厂区也在增加设备。
业内人士介绍,新增设备已经在清州M15厂投产,使其生产能力增加10K/月。M15是于2018年建成的DRAM生产基地,今年其剩余空间产能已经被填充。
设备制造商表示,SK海力士向来对投资持有谨慎态度,近期由于其有足够动力支撑,这种态度开始有所转变。
上个月SK海力士M16厂区竣工之后,正在积极推进下半年量产工作,并计划引入EUV工艺生产第四代10nm级DRAM。
近期,由于DRAM市场供不应求,SK海力士在无锡工厂也在讨论扩产投资,此外还与ASML签署了高达43.4亿美元大单,以保证EUV设备供应。
业内人士分析,SK海力士的这种投资趋势预计将持续到明年,尤其是今年下半年,可能会有更大投资。
据韩联社10月10日报道,SK海力士与中国新发集团共同出资20亿元人民币,将在无锡打造集成电路产业园。据无锡市人民政府网站8日消息,无锡中韩集成电路产业园7日开工,该产业园由新发集团和SK海力士共同出资承建,总投资20亿元。
据报道,SK海力士从2006年起在无锡开设运营动态随机存取存储器(D-RAM)半导体工厂。为加强与当地企业和社区的双赢合作,确保供应链稳定,SK海力士参与上述园区建设。公司方面称,此次投资非用于扩建现有半导体工厂。

作者 scforum

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